Abstract

Dengan berkembangnya teknologi yang ditandai dengan penemuan-penemuan divais-divais elektronik yang semakin kecil maka tuntutan dunia material semikonduktor pun mengikuti suatu trend untuk mendukung fabrikasi divais elektronik yang semakin kecil pula. Untuk itu dibutuhkan sintesa material semiconductor yaitu nanocrystal Silicon (nc-Si) berbentuk bubuk yang kemudian dapat dikembangkan sebagai larutan silicon dengan mencampurnya dengan cairan pelarut. Larutan bubuk silicon menunjang pembentukan lapisan tipis yang dapat diterapkan pada substrat yang murah seperti kaca untuk pengembangan sel photovoltaic maupun tinta printer elektronik dimana pembuatan transistor yang langsung tercetak pada media tertentu. Sintesa nanocrystal Silicon (nc-Si) dilakukan dengan metode Aerosol. Pada proses ini dimasukan gas silane sebagai precursor atau bahan dasar material yang dialirkan dalam suatu kamar bertemperatur tinggi (sekitar 1000º C). Untuk dapat menghasilkan suplai panas yang dapat mendekomposisi gas silane maka proses dilakukan dalam suatu reactor thermal dimana terdapat 2 tipe reactor thermal yaitu Hot Wall (HW) dan Microwave Reaktor (MW). Karakterisasi bubuk nc-Si menggunakan metode pengujian dengan UV/Vis, Raman Spectroscopy, dan pengukuran arus-tegangan dengan menggunakan kontak dari pasta perak. Hasil dari karakterisasi tersebut diketahui dimensi bubuk nc-Si yang dicapai pada proses MW berkisar antara 5- 20 nm, sedangkan pada proses HW berkisar antara 100 – 500 nm. Secara morfologi sifat keristalan nc-Si dengan MW lebih baik dibandingkan dengan nc-Si hasil dari proses HW. Hal ini karena struktur nc-Si dari MW mendekati sifat kristal tunggal Silikon. Uji pengukuran arus dan tegangan menunjukkan kerapatan arus berkisar 10-9 – 10-3 A/cm2 pada tegangan -2 V sampai 2V.

Full Text